Mardi 12 Octobre @ VIPress.net42,3% de rendement de conversion pour une cellule solaire à triple jonction en GaAs
L'Américain Spire Semiconductor, filiale de la société Spire spécialisée depuis 25 ans dans le développement de solutions pour le marché du solaire, vient de réaliser en laboratoire une cellule solaire à concentration en arséniure de gallium (GaAs) à triple jonction un rendement de conversion de 42,3% …
Le prototype – une cellule solaire de 0,97 cm2 – a été développé dans le cadre d'un contrat au laboratoire national des énergies renouvelables NREL.
Spire avait obtenu une subvention de plus de 3 millions de dollars sur 18 mois. La première phase des travaux avait abouti au bout de six mois à un rendement de 39%.
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