Selon GreenTech Media, Alta devices, une société américaine encore très peu connue, aurait levé 72 millions d'euros dans un tour de table pour financer le développement et l'industrialisation de procédés de fabrication de cellules solaires faisant appel à des couches ultraminces d'arséniure de gallium (GaAs)…

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Le rendement de conversion théoriquement réalisable avec le procédé d'Alta Devices, qui fait appel à une technique d'épitaxie dite « lift-of » pour obtenir des couches de 1 µm d'épaisseur, s'élèverait à 34%.

Alta Devices avait obtenu fin 2009 une subvention de 3 M$ du ministère américain de l'énergie pour développer sa technologie en coopération avec le laboratoire indépendant NREL.