L'Américain Spire Semiconductor, filiale de la société Spire spécialisée depuis 25 ans dans le développement de solutions pour le marché du solaire, vient de réaliser en laboratoire une cellule solaire à concentration en arséniure de gallium (GaAs) à triple jonction un rendement de conversion de 42,3% …

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Le prototype – une cellule solaire de 0,97 cm2 – a été développé dans le cadre d'un contrat au laboratoire national des énergies renouvelables NREL.

Spire avait obtenu une subvention de plus de 3 millions de dollars sur 18 mois. La première phase des travaux avait abouti au bout de six mois à un rendement de 39%.