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La technologie CIGS rattrape le silicium cristallin

Couches minces>Cellules >Allemagne>Technologies>R&D
28/10/2013 09:01:02 :

La technologie à couches minces CIGS dépasse le silicium multicristallin ! Une équipe de chercheurs du ZSW (centre de recherche sur l'énergie solaire et l'hydrogène du Bade-Wurttemberg) de Stuttgart, en Allemagne, a en effet dévoilé un rendement de conversion de 20,8% pour une cellule solaire réalisée dans cette technologie. En laboratoire …
 
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A titre de comparaison, les cellules solaires en silicium multicristallin affichent aujourd'hui un rendement de conversion de pointe de 20,4%. Le record du ZSW a été confirmé par le laboratoire Fraunhofer-ISE. Les travaux des chercheurs porteront maintenant sur le transfert de ce procédé CIGS du laboratoire à la production de panneaux photovoltaïques. Selon Michael Powalla, responsable de l'activité PV au sein du ZSW, un objectif de 16 à 18% pourrait être atteint dans quelques années, contre 14 à 15% aujourd'hui.

La cellule solaire CIGS (diséléniure de cuivre-indium-gallium) de test de 0,5 cm2 a été réalisée en laboratoire avec une technique de dépôt simultané en phase vapeur aisément transférable en production, selon les chercheurs. Le ZSW avait déjà atteint un rendement record de 20,3% en technologie CIGS sur substrat verre. Le groupe Manz, son partenaire industriel, avait racheté fin 2011 l'activité CIGS de Würth Solar, pionnier de la technologie, et propose une ligne de production pour ce procédé.
SOMMAIRE du 28-10-2013
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